[Elettronica] Guadagno massimo Mosfet CS

[T[N]T]

Ciao, dal libro non riesco a capire da cosa nasca il limite di Vdd per il
guadagno di un Mosfet CS e perchè in molti esami che ho sottomano le
specifiche di progetto chiedano di dimensionare con guadagni superiori al
teorico Vdd*Vdd (per esempio nel caso di due Mos CS uguali).

[Fleggins]

Ciao,

Il guadagno di tensione è una grandezza adimensionale quindi non può
essere uguale ad una tensione...

In generale il guadagno di un amplificatore in configurazione common
source è Gm*Rout che nel caso di carico resistivo è gm*Rd...cose che
trovi scritto in qualsiasi testo di elettronica:)e non credo sia
possibile che sul tuo libro(nome?)sia scritto quanto tu affermi :p

Non è che hai confuso guadagno con swing di tensione?

Ciao,dal libro non riesco a capire da cosa nasca il limite di Vdd per il
guadagno di un Mosfet CS e perchè in molti esami che ho sottomano le
specifiche di progetto chiedano di dimensionare con guadagni superiori al
teorico Vdd*Vdd (per esempio nel caso di due Mos CS uguali).

[T[N]T]

Post by Fleggins
Il guadagno di tensione è una grandezza adimensionale quindi non può
essere uguale ad una tensione...

Ovviamente sto parlando del valore numerico di Vdd

Post by Fleggins
In generale il guadagno di un amplificatore in configurazione common
source è Gm*Rout che nel caso di carico resistivo è gm*Rd...cose che trovi
scritto in qualsiasi testo di elettronica:)e non credo sia possibile che
sul tuo libro(nome?)sia scritto quanto tu affermi :p

E' uno dei principi base della progettazione su cui ci si basa per capire
quanti stadi usare.
Il libro è Jaeger "Microelectronic Circuit. Design" McGraw-Hill 1996
il quale dice più volte che il guadagno (gm*Rl) del mosfet CS risulta circa
l'alimentazione Vdd

[Alvin]

Post by T[N]T
Ovviamente sto parlando del valore numerico di Vdd

Continuo a non essere d'accordo per cui mi sono permesso di proporre il
problema a it.hobby.elettronica che è frequentata da gente davvero
competente che si "magna" a noi poveri studenti di ingegneria elettronica :D

ciao,
Alvin

P.S:indicami le pagine dove hai trovato scritto ste cose

[Alvin]

Post by T[N]T

Post by Fleggins
Il guadagno di tensione è una grandezza adimensionale quindi non può
essere uguale ad una tensione...

Ovviamente sto parlando del valore numerico di Vdd

Non c'entra nulla, stai comparando cmq due grandezze diverse.


[CUT]

Post by T[N]T
E' uno dei principi base della progettazione su cui ci si basa per capire
quanti stadi usare.

Sei in ipotesi di piccolo segnale,

Post by T[N]T
Il libro è Jaeger "Microelectronic Circuit. Design" McGraw-Hill 1996
il quale dice più volte che il guadagno (gm*Rl) del mosfet CS risulta circa
l'alimentazione Vdd

Potresti indicarmi le pagine dove ci sarebbe scritto ciò?

Scusami se continuo a contraddirti (conntraddire il libro?) ma proprio
non mi trovo:p Si definisce guadagno intrinseco di uno stadio CS la
quantità Gm*r0 che può essere moooolto più grande dell'alimentazione(se
proprio vogliamo intenderlo come numero). Non dimenticare che stai
lavorando a piccolo segnale, per cui devi amplificare un segnale che può
essere di 1-2 ordini di grandezza inferiore ad esempio proprio alla Vdd...

[T[N]T]

Post by Alvin
Non c'entra nulla, stai comparando cmq due grandezze diverse.

Cosa c'entra, ti sto dicendo che sto parlando di valori numerici e non sto
facendo nessuna comparazione.

Post by Alvin
Sei in ipotesi di piccolo segnale,

ovvio

Post by Alvin
Potresti indicarmi le pagine dove ci sarebbe scritto ciò?

pagina 597 (13.103) mi ha chiarito tutto, è solo un approssimazione per fare
una prima stima sul numero degli stadi, ma si può spingere anche di più

[didomauro]

Post by T[N]T
pagina 597 (13.103) mi ha chiarito tutto, è solo un approssimazione per
fare una prima stima sul numero degli stadi, ma si può spingere anche di
più

e come ti ha chiarito? sono curioso, perche' il metodo che ci descrivevi era
abbastanza assurdo.
Non e' che avevi confuso amplificazione e dinamica?

Ciao,
Mauro.

[T[N]T]

Post by didomauro
e come ti ha chiarito? sono curioso, perche' il metodo che ci descrivevi era
abbastanza assurdo.
Non e' che avevi confuso amplificazione e dinamica?

Io pensavo fosse un limite dell'amplificazione, dovuto a qualche limitazione
intrinseca del dispositivo, invece è solo una stima della possibile massima
amplificazione, e dunque è anche superabile.

[T[N]T]

Post by didomauro
sono curioso, perche' il metodo che ci descrivevi era
abbastanza assurdo.
Non e' che avevi confuso amplificazione e dinamica?

No, perchè dici che è assurdo?
Se abbiamo delle specifiche e dobbiamo realizzarle con per esempio mosfet CS
perchè ti sembra strano fare uno studio sul numero degli stadi da utilizzare
a seconda del guadagno da realizzare, considerando la regola pratica Av= Vdd
Oppure per un BJT CE l'identica approssimazione Av= 10 * Vcc?
Il mio libro considera queste relazioni le regole base per il progetto degli
amplificatori, mi sembra strano siano considerate così strambe..

[Alvin]

T[N]T ha scritto:

[CUT]

Post by T[N]T
pagina 597 (13.103) mi ha chiarito tutto, è solo un approssimazione per fare
una prima stima sul numero degli stadi, ma si può spingere anche di più

Bene, il libro dice che un CS "con carico resistivo" (dettaglio
importante che hai dimenticato di scrivere) ha un amplificazione di
tensione *circa* pari a Vdd/(Vgs-Vth) che per Vgs-Vth=1 V viene circa
uguale al Vdd che dici te...sec me hai mal formulato la domanda, per
questo ho insistito tanto sulla questione delle unità di misura...

[Sara]